Zobrazeno 1 - 10
of 160
pro vyhledávání: '"Song Jian-Jun"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Wen-Dong, Tang, Xiao, Feng, Jun-An, Zhang, Chao-Yue, Liu, Hao, Shi, Chuan, Zhao, Xiao-Xian, Song, Jian-Jun
Publikováno v:
Rare Metals; Feb2024, Vol. 43 Issue 2, p455-477, 23p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 14:1776-1785
Based on the difference of thermal expansion coefficient between Si and Ge, low-intensity tensile stress can be introduced into Ge epitaxial layer on Si substrate. S-Ge/Si semiconductor (as known as low tensile strained Ge grown on Si substrate) has
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Science of Advanced Materials. 11:507-514
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qi, Xin-Ran, Liu, Yuan, Ma, Lin-Lin, Hou, Bao-Xiu, Zhang, Hong-Wei, Li, Xiao-Hui, Wang, Ya-Shi, Hui, Yi-Qing, Wang, Ruo-Xun, Bai, Chong-Yang, Liu, Hao, Song, Jian-Jun, Zhao, Xiao-Xian
Publikováno v:
Rare Metals; May2022, Vol. 41 Issue 5, p1637-1646, 10p