Zobrazeno 1 - 10
of 376
pro vyhledávání: '"Song, H. Z."'
We have demonstrated experimentally the manipulation of exciton and nuclear spins in a single self-assembled In$_{0.75}$Al$_{0.25}$As/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As quantum dot. The oscillation of exciton and nuclear spin polarizations were clearly observed.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0608161
Autor:
Ota, T., Rontani, M., Tarucha, S., Nakata, Y., Song, H. Z., Miyazawa, T., Usuki, T., Takatsu, M., Yokoyama, N.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 95, 236801 (2005)
We study electronic configurations in a single pair of vertically coupled self-assembled InAs quantum dots, holding just a few electrons. By comparing the experimental data of non-linear single-electron transport spectra in a magnetic field with many
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0510213
We report the optical spectroscopic results of a single self-assembled InAlAs/Al GaAs quantum dot. The polarization-dependent shift of the Zeeman splitting in a single InAlAs QD has been observed. The induced Overhauser field is estimated to be 0.16
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0407227
Single-dot spectroscopy via elastic single-electron tunneling through a pair of coupled quantum dots
Autor:
Ota, T., Ono, K., Stopa, M., Hatano, T., Tarucha, S., Song, H. Z., Nakata, Y., Miyazawa, T., Ohshima, T., Yokoyama, N.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 93, 066801 (2004)
We study the electronic structure of a single self-assembled InAs quantum dot by probing elastic single-electron tunneling through a single pair of weakly coupled dots. In the region below pinch-off voltage, the non-linear threshold voltage behavior
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0405545
Autor:
Ota, T., Stopa, M., Rontani, M., Hatano, T., Yamada, K., Tarucha, S., Song, H. Z., Nakata, Y., Miyazawa, T., Ohshima, T., Yokoyama, N.
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures, Vol. 34, Issues 3-6, p. 159 (2003)
Molecular states in a SINGLE PAIR of strongly coupled self-assembled InAs quantum dots are investigated using a sub-micron sized single electron transistor containing just a few pairs of coupled InAs dots embedded in a GaAs matrix. We observe a serie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0401576
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.