Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"Sommet, Raphaël"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karrame, Khalil, Jakani, Anass, Kakou, Luc, Chang, Christophe, Colas, Maggy, Nallatamby, Jean-Christophe, Sommet, Raphaël
Publikováno v:
2022 IEEE MTT-S International Conference on Numerical Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO).
Two electrical methods and one optical method are used, in order to measure the temperature of the hot spot of a 150nm, 2x150µm GaN HEMT. One of the electrical methods is based on Gate Resistance Thermometry (GTR) [1] and the other one is based on t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::df0d849963048ca7270a927dbd170050
https://doi.org/10.1109/nemo51452.2022.10038966
https://doi.org/10.1109/nemo51452.2022.10038966
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bouslama, Mohamed, Gaillard, Florent, Raja, P.V., Dupouy, Emmanuel, Chang, Christophe, Sommet, Raphaël, Nallatamby, Jean-Christophe
Les pièges trouvent leur origine dans différents types de défauts présents dans l'épitaxie et/ou provenant de la fabrication du transistor. Ce papier est dédié à la simulation physique et la caractérisation des pièges de surface et de la zo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::f1650ac64568b064c6682e90505630a1
https://hal.science/hal-03745526
https://hal.science/hal-03745526
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.