Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"Solonenko, D."'
Autor:
Studenyak, I.P., Pogodin, A.I., Studenyak, V.I., Kokhan, O.P., Azhniuk, Yu.M., Solonenko, D., Daróczi, L., Kökényesi, S., Zahn, D.R.T.
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids December 2021 159
Autor:
Shaikh, M.S., Wang, Mao, Hübner, R., Liedke, M.O., Butterling, M., Solonenko, D., Madeira, T.I., Li, Zichao, Xie, Yufang, Hirschmann, E., Wagner, A., Zahn, D.R.T., Helm, M., Zhou, Shengqiang
Publikováno v:
In Applied Surface Science 30 November 2021 567
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shaikh, M. S., Wang, M., Hübner, R., Liedke, M. O., Butterling, M., Solonenko, D., Madeira, T. I., Li, Z., Xie, Y., Hirschmann, E., Wagner, A., Zahn, D. R. T., Helm, M., Zhou, S.
Publikováno v:
SNI2022, 05.-07.09.2022, Berlin, Germany
Applied Surface Science 567(2021), 150755
Applied Surface Science 567(2021), 150755
Silicon doped with Tellurium (Te), a deep level impurity, at concentrations higher than the solid solubility limit (hyperdoping) was prepared by ion-implantation and nanosecond pulsed laser melting. The resulting materials exhibit strong sub-bandgap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7394ecfead034ea537ef91cf86894490
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36417-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36417-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this work, aluminium scandium nitride (Al1−xScxN) thin films are deposited by reactive DC magnetron co-sputtering on Pt(111) layers. The sputtering power of the Sc target is varied in a broad range up to 900 W to effectively vary the Sc content
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::c69ccecc88fa771d8b66d3b17e06bc02
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/265635
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/265635
Hexagonal aluminium nitride (AlN) thin films prepared by the reactive magnetron sputtering method usually undergo post‐growth annealing treatment aimed at the improvement of crystalline quality as a principal step for their performance as piezoelec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::69401e15d486372d0e1cc365a2c8331c
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/263705
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/263705
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.