Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Soldatenkov, F. Y."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sobolev, M. M.1 (AUTHOR) m.sobolev@mail.ioffe.ru, Soldatenkov, F. Y.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1260-1266. 7p.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/7/2020, Vol. 128 Issue 9, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:52
We present results of experimental studies of capacitance--voltage characteristics, spectra of deep-level transient spectroscopy of graded high-voltage GaAs p+-p0-i-n0 diodes fabricated by liquid-phase epitaxy at a crystallization temperature of 900o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::844d6173c4baf8f4576c2996538fa18e
https://doi.org/10.21883/sc.2022.01.53017.9729
https://doi.org/10.21883/sc.2022.01.53017.9729
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Malevskaya, A. V., Kalyuzhnyy, N. A., Malevskii, D. A., Mintairov, S. A., Nadtochiy, A. M., Nakhimovich, M. V., Soldatenkov, F. Y., Shvarts, M. Z., Andreev, V. M.
Publikováno v:
Semiconductors; Aug2021, Vol. 55 Issue 8, p686-690, 5p
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; October 2023, Vol. 62 Issue: 10 p104002-104002, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.