Zobrazeno 1 - 10
of 227
pro vyhledávání: '"Soi substrate"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 4, p 414 (2021)
Several Silicon on Insulator (SOI) wafer manufacturers are now offering products with customer-defined cavities etched in the handle wafer, which significantly simplifies the fabrication of MEMS devices such as pressure sensors. This paper presents a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f3dc54066ccf491b82c23ad6755919ee
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 33:352-356
For a recent replacement metal gate (RMG) FINFET technology using an SOI substrate, an inhomogeneous polish post Tungsten fill of the RMG was discovered. For particular wide-gate structures, the Tungsten polish within the reticle field and across the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8:P186-P189
Publikováno v:
Circuit World. 44:187-194
PurposeThis paper aims to propose a new ten-transistor (10T) SRAM bit-cell with differential read and write operations. The cell structure has read buffer on each side of the cell to improve read performance and comprises six main body transistors’
Publikováno v:
Micromachines
Volume 12
Issue 4
Micromachines, Vol 12, Iss 414, p 414 (2021)
Micromachines, 12(4)
Volume 12
Issue 4
Micromachines, Vol 12, Iss 414, p 414 (2021)
Micromachines, 12(4)
Several Silicon on Insulator (SOI) wafer manufacturers are now offering products with customer-defined cavities etched in the handle wafer, which significantly simplifies the fabrication of MEMS devices such as pressure sensors. This paper presents a
Publikováno v:
Lecture Notes in Civil Engineering ISBN: 9789811595530
FinFET has become a successful replacement of MOSFETs for offering sustainable performance at lower technology nodes in leading semiconductor industries like Intel, Samsung, and TSMC, etc. The main attraction of this device lies in its better gate co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c12a0eb0db459c32a494794b7d15adb
https://doi.org/10.1007/978-981-15-9554-7_44
https://doi.org/10.1007/978-981-15-9554-7_44
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 145:34-39
In this paper, the hot-carrier-induced current capability degradation of a 600 V lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) on thick silicon on insulator (SOI) substrate is investigated. Our experiments found that, for the SOI-LIGBT, the worst