Extraordinary high room-temperature carrier mobility in graphene-WSe$_2$ heterostructures

Autor: Banszerus, L., Sohier, T., Epping, A., Winkler, F., Libisch, F., Haupt, F., Watanabe, K., Taniguchi, T., Müller-Caspary, K., Marzari, N., Mauri, F., Beschoten, B., Stampfer, C.

High carrier mobilities play a fundamental role for high-frequency electronics, integrated optoelectronics as well as for sensor and spintronic applications, where device performance is directly linked to the magnitude of the carrier mobility. Van de

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1909.09523

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Metal-insulator crossover in monolayer MoS2.

Autor: Castillo, I¹ (AUTHOR), Sohier, T^1,2 (AUTHOR), Paillet, M¹ (AUTHOR), Cakiroglu, D^1,3 (AUTHOR), Consejo, C¹ (AUTHOR), Wen, C⁴ (AUTHOR), Wasem Klein, F¹ (AUTHOR), Zhao, M-Q^5,6 (AUTHOR), Ouerghi, A⁷ (AUTHOR), Contreras, S¹ (AUTHOR), Johnson, A T Charlie⁶ (AUTHOR), Verstraete, M J² (AUTHOR), Jouault, B¹ (AUTHOR), Nanot, S¹ (AUTHOR) sebastien.nanot@umontpellier.fr

Publikováno v: Nanotechnology. 8/13/2023, Vol. 34 Issue 33, p1-10. 10p.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.