Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Sohi, Pirouz"'
Autor:
Hennel, Szymon, Braem, Beat A., Baer, Stephan, Tiemann, Lars, Sohi, Pirouz, Wehrli, Dominik, Hofmann, Andrea, Reichl, Christian, Wegscheider, Werner, Rössler, Clemens, Ihn, Thomas, Ensslin, Klaus, Rudner, Mark S., Rosenow, Bernd
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 116, 136804 (2016)
In a quantum Hall ferromagnet, the spin polarization of the two-dimensional electron system can be dynamically transferred to nuclear spins in its vicinity through the hyperfine interaction. The resulting nuclear field typically acts back locally, mo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.03593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We report on low-resistivity GaN tunnel junctions (TJ) on blue light-emitting diodes (LEDs). Si-doped n(++)-GaN layers are grown by metalorganic chemical vapor deposition directly on LED epiwafers. Low growth temperature (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::fa49680e9350681e0d0155ef87fa659c
https://infoscience.epfl.ch/record/263406
https://infoscience.epfl.ch/record/263406
Autor:
Sohi, Pirouz
Over the past 20 years, III-nitrides (GaN, AlN, InN and their alloys) have proven to be an excellent material group for electronic devices, in particular, for high electron mobility transistors (HEMTs) operating at high frequency and high power. This
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::61db01d9846c7fd89bf55802ed8f049e
https://infoscience.epfl.ch/record/269152
https://infoscience.epfl.ch/record/269152
Autor:
Rousseau, Ian, Sohi, Pirouz
The present invention concerns vacuum pressure gauge or gas pressure measurement device comprising a polar semiconductor structure, at least one light source for illuminating a surface of the polar semiconductor structure, measurement means configure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::ae3fea8c89fa49caa2cf86d5c9588bb2
https://infoscience.epfl.ch/record/272976
https://infoscience.epfl.ch/record/272976
We report on low-resistivity GaN tunnel junctions (TJ) on blue light-emitting diodes (LEDs). Si-doped n ++-GaN layers are grown by metalorganic chemical vapor deposition directly on LED epiwafers. Low growth temperature (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5510a7ebe3feb40c851fa6243f950438
http://hdl.handle.net/10447/346947
http://hdl.handle.net/10447/346947