Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Socratous, Josephine"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Banger, Kulbinder, Warwick, Christopher, Lang, Jiang, Broch, Katharina, Halpert, Jonathan E., Socratous, Josephine, Brown, Adam, Leedham, Timothy, Sirringhaus, Henning
Publikováno v:
Chemical Science
Identification of long-lived dipole disorder in low-temp solution processed dielectrics, and it's suppression.
The ability to deposit high-quality inorganic semiconductors and dielectrics from solution at low process temperatures (∼200 °C) ha
The ability to deposit high-quality inorganic semiconductors and dielectrics from solution at low process temperatures (∼200 °C) ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::766b39cf4f13090e992f3c514cc35308
http://europepmc.org/articles/PMC5450438
http://europepmc.org/articles/PMC5450438
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Socratous, Josephine, Banger, Kulbinder K, Vaynzof, Yana, Sadhanala, Aditya, Brown, Adam D, Sepe, Alessandro, Steiner, Ullrich, Sirringhaus, Henning
The electronic structure of low temperature, solution-processed indium-zinc oxide thin-film transistors is complex and remains insufficiently understood. As commonly observed, high device performance with mobility >1 cm2 V-1 s-1 is achievable after a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______109::197e476e4a5c82ab424b759bf300fcec
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/247541
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/247541
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SID Symposium Digest of Technical Papers; May2018, Vol. 49 Issue 1, p343-346, 4p
Publikováno v:
SID Symposium Digest of Technical Papers; May 2018, Vol. 49 Issue: 1 p343-346, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Socratous J; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Banger KK; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Vaynzof Y; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Sadhanala A; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Brown AD; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Sepe A; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Steiner U; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK., Sirringhaus H; Cavendish Laboratory 19 JJ Thomson Avenue, CB3 OHE, Cambridge, UK.
Publikováno v:
Advanced functional materials [Adv Funct Mater] 2015 Mar 25; Vol. 25 (12), pp. 1873-1885. Date of Electronic Publication: 2015 Feb 18.