Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Smart CutTM"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sebastien Sollier, Julie Widiez, Gweltaz Gaudin, Frederic Mazen, Thierry Baron, Mickail Martin, Marie-Christine Roure, Pascal Besson, Christophe Morales, Elodie Beche, Frank Fournel, Sylvie Favier, Amelie Salaun, Patrice Gergaud, Maryline Cordeau, Christellle Veytizou, Ludovic Ecarnot, Daniel Delprat, Ionut Radu, Thomas Signamarcheix
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 6, Iss 4, p 19 (2016)
In this work, we demonstrate for the first time a 300-mm indium–gallium–arsenic (InGaAs) wafer on insulator (InGaAs-OI) substrates by splitting in an InP sacrificial layer. A 30-nm-thick InGaAs layer was successfully transferred using low tempera
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ffe38044688c423db103fb20f61af151
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thierry Baron, Pascal Besson, Mickail Martin, Christophe Morales, Sebastien Sollier, Maryline Cordeau, Ionut Radu, Amelie Salaun, Thomas Signamarcheix, Ludovic Ecarnot, Marie-Christine Roure, Elodie Beche, Daniel Delprat, Christellle Veytizou, Gweltaz Gaudin, Sylvie Favier, Frank Fournel, Frédéric Mazen, Julie Widiez, Patrice Gergaud
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications; Volume 6; Issue 4; Pages: 19
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 6, Iss 4, p 19 (2016)
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 6, Iss 4, p 19 (2016)
In this work, we demonstrate for the first time a 300-mm indium–gallium–arsenic (InGaAs) wafer on insulator (InGaAs-OI) substrates by splitting in an InP sacrificial layer. A 30-nm-thick InGaAs layer was successfully transferred using low tempera
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Diab, Amer El Hajj
Les architectures des dispositifs Silicium-Sur-Isolant (SOI) représentent des alternatives attractives par rapport à celles en Si massif grâce à l’amélioration des performances des transistors et des circuits. Dans ce contexte, les plaquettes
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012GRENT060/document
Autor:
Diab, Amer El Hajj
Publikováno v:
Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENT060⟩
Silicon-On-Insulator (SOI) device architectures represent attractive alternatives to bulk ones thanks to the improvement of transistors and circuits performances. In this context, the SOI starting material should be of prime quality.In this thesis, w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f6b705efea68df959607b67db3fa7b59
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00796613
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00796613
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.