Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Slobodyan, I."'
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84
A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::43d6aebff97c8115e8e9371a07511fd1
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221487
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221487
Publikováno v:
Automation of Technological & Business Processes / Avtomatizaciâ Tehnologiceskih i Biznes-Processov; 12/1/2016, Vol. 8 Issue 4, p35-38, 4p
Publikováno v:
Materials Science; 1996, Vol. 30 Issue 5, p542-548, 7p
Publikováno v:
Materials Science; 1996, Vol. 30 Issue 2, p236-243, 8p
Publikováno v:
Materials Science; 1995, Vol. 29 Issue 5, p507-513, 7p
Publikováno v:
Soviet Materials Science; 1992, Vol. 26 Issue 5, p524-530, 7p
Autor:
Ratych, L., Slobodyan, I.
Publikováno v:
Soviet Materials Science; 1989, Vol. 23 Issue 1, p4-10, 7p
Autor:
Ratych, L., Slobodyan, I.
Publikováno v:
Soviet Materials Science; 1988, Vol. 22 Issue 6, p606-613, 8p
Publikováno v:
Soviet Materials Science; 1988, Vol. 22 Issue 3, p223-234, 12p
Autor:
Ratych, L., Slobodyan, I.
Publikováno v:
Soviet Materials Science; 1987, Vol. 21 Issue 4, p323-327, 5p