Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Slipokurov, V.S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
The method of electrophysical diagnostic of n⁺-n-n⁺ structures at the etching stage of manufacturing process of power IMPATT diodes has been proposed. A numerical method for specific contacts resistance calculation of vertical ohmic contacts with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::2b87e7f966ff93d420c81f2689ea70b4
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121657
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121657
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Presented in this paper are experimental data on structural properties of contact metallization and temperature dependence of the specific contact resistance for ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-InP and Au–Ti–Ge–Pd-n⁺-InP prepared using the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::1504758c5ef383a3c96e876cf932e962
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121259
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121259
Proposed has been the method of formation a thermally stable ohmic contact to the diamond without high-temperature annealing with the resistivity ~50 to 80 Ohm∙cm² when Rs = 3∙10⁷ Ohm/ eing based on the analysis of correlation dependence betwe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::01dd51f3e9d45d7853b9d1bbebd607f1
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121806
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121806
A finline version of detector with flat Schottky barrier diodes is developed. It is intended for operation in the 400600 GHz frequency range. The detector electrical parameters are studied. The detector conversion ratio at a frequency of 420 GHz i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::bd81e5d5edde2eb45eeb7fd082a37a70
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118421
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118421
We present the results of investigation of the barrier height and ideality factor in Schottky barrier diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H relying on measuring the current-voltage and capacitance-voltage characteristics. Improving the accuracy of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::8e405c2b00bfaa43e6c592f4fe0fd19b
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118424
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118424
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2013 23rd International Crimean Conference 'Microwave & Telecommunication Technology'; 2013, p762-763, 2p
