Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"Skeren, Tomas"'
Autor:
Erb, Denise J., Pearson, Daniel A., Škereň, Tomáš, Engler, Martin, Bradley, R. Mark, Facsko, Stefan
We investigate the morphologies of the Ge(001) surface that are produced by bombardment with a normally incident, broad argon ion beam at sample temperatures above the recrystallization temperature. Two previously-observed kinds of topographies are s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.06302
Publikováno v:
Nature Electronics (2020)
Hydrogen resist lithography using the tip of a scanning tunneling microscope (STM) is employed for patterning p-type nanostructures in silicon. For this, the carrier density and mobility of boron $\delta$-layers, fabricated by gas-phase doping, are c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.06188
Autor:
Skeren, Tomas, Pascher, Nikola, Garnier, Arnaud, Reynaud, Patrick, Rolland, Emmanuel, Thuaire, Aurelie, Widmer, Daniel, Jehl, Xavier, Fuhrer, Andreas
Publikováno v:
Nanotechnology, 29, 435302 (2018)
Controlled atomic scale fabrication of functional devices is one of the holy grails of nanotechnology. The most promising class of techniques that enable deterministic nanodevice fabrication are based on scanning probe patterning or surface assembly.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.00718
Ion beam irradiation of semiconductors is a method to produce regular periodic nanoscale patterns self-organized on wafer scale. At low temperatures, the surface of semiconductors is typically amorphized by the ion beam. Above a material dependent dy
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1611.06836
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.