Zobrazeno 1 - 10
of 57 975
pro vyhledávání: '"Sipos A"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Song Yuan, Zhaoheng Yan, Yanzuo Li, Ying Wang, Qifan Liu, Xinbin Zhan, Xi Jiang, Yanjing He, Xiaowu Gong
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 6, p 759 (2024)
A novel insulated gate bipolar transistor with Semi-Insulated POly Silicon (SIPOS) is presented in this paper and analyzed through TCAD simulation. In the off state, the SIPOS-IGBT can obtain a uniform electric field distribution, which enables a thi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/850d40a02b0146528c74794be208dd9e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ősz, Sándor Előd
Publikováno v:
Református Szemle / Reformed Review. 115(1):99-102
Externí odkaz:
https://www.ceeol.com/search/article-detail?id=1059414
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 3, p 411 (2024)
This paper presents a machine learning-based figure of merit model for superjunction (SJ) U-MOSFET (SSJ-UMOS) with a modulated drift region utilizing semi-insulating poly-crystalline silicon (SIPOS) pillars. This SJ drift region modulation is achieve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0cb65580b9d04cc081b6b4b8f4a0e70e
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 114-120 (2021)
A novel Si/SiC heterojunction Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor with the Semi-Insulating Polycrystalline Silicon field plate (SIPOS Si/SiC LDMOS) is proposed in this paper for the first time. The innovative terminal technology of Brea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08bfa1a75a084af892643ea1bc378770
Autor:
Enyedi, Pál
Publikováno v:
Református Szemle / Reformed Review. 113(1):63-72
Externí odkaz:
https://www.ceeol.com/search/article-detail?id=906159