Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Single-layered semiconductor microstructure (SLSM)"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 64, Iss , Pp 107958- (2024)
We theoretically investigate Goos-Hänchen effect for electron in single-layered semiconductor microstructure (SLSM) modulated by Rashba spin–orbit coupling (SOC). Due to the SOC effect, GH displacement is obviously dependent on spins, which allows
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2474d2c283744d19a037aae35137269f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.