Zobrazeno 1 - 10
of 1 031
pro vyhledávání: '"Single electron tunneling"'
Autor:
Walter Unglaub, A.F.J. Levi
Publikováno v:
Physics Open, Vol 17, Iss , Pp 100164- (2023)
Dispersion associated with the complex band structure of a periodic potential can be used to explain single-electron wave packet tunneling through a finite-sized tunnel barrier. The imaginary k-space dispersion in a tunnel barrier may be viewed as a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c537a14279d447899060e80d16a418fc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Daniel Moraru, Tsutomu Kaneko, Yuta Tamura, Taruna Teja Jupalli, Rohitkumar Shailendra Singh, Chitra Pandy, Luminita Popa, Felicia Iacomi
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 13, p 1911 (2023)
Silicon (Si) nano-electronics is advancing towards the end of the Moore’s Law, as gate lengths of just a few nanometers have been already reported in state-of-the-art transistors. In the nanostructures that act as channels in transistors or depleti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a8c00dcbc7604796a45063466b1177bc
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 11, p 1809 (2023)
The transport characteristics of a gate-all-around Si multiple-quantum-dot (QD) transistor were studied by means of experimental parametrization using theoretical models. The device was fabricated by using the e-beam lithographically patterned Si nan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2087a67649942388376ef59dbe0281f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Iacomi, Daniel Moraru, Tsutomu Kaneko, Yuta Tamura, Taruna Teja Jupalli, Rohitkumar Shailendra Singh, Chitra Pandy, Luminita Popa, Felicia
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 13; Pages: 1911
Silicon (Si) nano-electronics is advancing towards the end of the Moore’s Law, as gate lengths of just a few nanometers have been already reported in state-of-the-art transistors. In the nanostructures that act as channels in transistors or depleti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::de62526418c79d35a9fc471b1b7aa445
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 11; Pages: 1809
The transport characteristics of a gate-all-around Si multiple-quantum-dot (QD) transistor were studied by means of experimental parametrization using theoretical models. The device was fabricated by using the e-beam lithographically patterned Si nan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::988767a0d8d2398229f747951067f2e5
Autor:
Thomas A. Zirkle, Matthew J. Filmer, Jonathan Chisum, Alexei O. Orlov, Eva Dupont-Ferrier, Joffrey Rivard, Matthew Huebner, Marc Sanquer, Xavier Jehl, Gregory L. Snider
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 24, p 8797 (2020)
Single-electron tunneling transistors (SETs) and boxes (SEBs) exploit the phenomenon of Coulomb blockade to achieve unprecedented charge sensitivities. Single-electron boxes, however, despite their simplicity compared to SETs, have rarely been used f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d322d20fe10646308c56b665bcd00485