Zobrazeno 1 - 10
of 2 367
pro vyhledávání: '"Single electron transistor"'
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 24, Iss , Pp 100275- (2024)
Hybrid room-temperature (RT) silicon single-electron – field effect transistors (SET-FETs) provide a means to switch between ‘classical’, high current FET, and low-power SET operation, using a gate voltage. While operating as a SET, charge on a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0feec18281974fae86744131e83f04bc
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 8, Iss , Pp 100109- (2024)
—Reversible Logic Gates have become very popular for their uninhibited merits like, low power consumption, low garbage output, decreasing the quantum cost, least propagation delay etc. Several circuits have been designed for reversible logic ICs us
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8980a9c929554ee8988aff401a47d1e1
Autor:
Panagiota Papadopoulou, Kyriakos Ovaliadis, Eleni Philippousi, Michael P. Hanias, Lykourgos Magafas, Stavros G. Stavrinides
Publikováno v:
Symmetry, Vol 16, Iss 3, p 327 (2024)
In this paper, the effect of temperature on Single-Electron Transistor (SET) electrical behavior is investigated. In particular, a study of the current-voltage (I-V) curves according to parameter (temperature and gate voltage) variation is presented.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ce0e9032c5a4a228a6d5bf2e763ee5e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Science Technology and Engineering Journal (STEJ), Vol 7, Iss 2, Pp 1-8 (2021)
A single-electron transistor (SET) is a promising technology, superseding a traditional transistor. This device needs to be accurately controlled by external voltage sources because this sophisticated structure is operated in the submicron scale. Qua
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e321652068844099db2aedae7f9d2a3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2015, Vol. 62 Issue 3, p1052-1057. 6p.
Autor:
Morteza Bodaghzadeh, Mohamad Taghi Ahmadi, Mahan Ahmadi, Seyed Saeid Rahimian Koloor, Michal Petru, Fatemeh Esfandiari
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 153548-153559 (2021)
Considering the importance of single-electron transistors (SETs), many studies have been done over the past decade to develop the use of SETs and improve their efficiency in both the experimental and theoretical fields. One of the most important chal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bc2cd14dfc649d58a968f6e1c3c2da7