Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Singh, Manikant"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters (Vol. 115, Issue 21) 2019
We demonstrate high-frequency (> 3 GHz), high quality factor radio frequency (RF) resonators in unreleased thin film gallium nitride (GaN) on sapphire and silicon carbide substrates by exploiting acoustic guided mode (Lamb wave) resonances. The assoc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.08169
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 30 (2015) 115018
Buffer leakage is an important parasitic loss mechanism in AlGaN/GaN HEMTs and hence various methods are employed to grow semi-insulating buffer layers. Quantification of carrier concentration in such buffers using conventional capacitance based prof
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.07320
Autor:
Singh, Manikant, Karboyan, Serge, Uren, Michael J., Lee, Kean Boon, Zaidi, Zaffar, Houston, Peter A., Kuball, Martin
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2019 95:81-86
Autor:
Liang, Jianbo, Zhou, Yan, Masuya, Satoshi, Gucmann, Filip, Singh, Manikant, Pomeroy, James, Kim, Seongwoo, Kuball, Martin, Kasu, Makoto, Shigekawa, Naoteru
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials March 2019 93:187-192
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Higashiwaki, Masataka, Hoi Wong, Man, Kamimura, Takafumi, Nakata, Yoshiaki, Chia-Hung, Lin, Takeyama, Akinori, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Singh, Manikant, Pomeroy, James, Uren, Michael, Casbon, Michael, Tasker, Paul, Goto, Ken, Sasaki, Kohei, Kuramata, Akito, Yamakoshi, Shigenobu, Kuball, Martin, Murakami, Hisashi, Kumagai, Yoshinao
Ga2O3 has emerged as a noteworthy ultrawide bandgap semiconductor in the past five years. Owing to excellent material properties based on an extremely large bandgap of over 4.5 eV and the commercial availability of native wafers produced from melt-gr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e30fc5776b0f5c1e1d1ab8fc1f22c268
https://repo.qst.go.jp/records/75595
https://repo.qst.go.jp/records/75595
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Blumenschein, Nicholas A., Moule, Taylor, Dalcanale, Stefano, Mercado, Elisha, Singh, Manikant, Pomeroy, James W., Kuball, Martin, Wagner, Gunter, Paskova, Tania, Muth, John F., Chabak, Kelson D., Moser, Neil A., Jessen, Gregg H., Heller, Eric R., Miller, Nicholas C., Green, Andrew J., Popp, Andreas, Crespo, Antonio, Leedy, Kevin, Lindquist, Miles
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Jan2020, Vol. 67 Issue 1, p204-211, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.