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Akademický článek

Impact of Displacement Defect Owing to Cosmic Rays on Three-Nanometer-Node Nanosheet FET 6T Static Random Access Memory

Autor: Jonghyeon Ha, Minji Bang, Gyeongyeop Lee, Minki Suh, Chong-Eun Kim, Jungsik Kim

Publikováno v: IEEE Access, Vol 11, Pp 97682-97688 (2023)

In this work, the effect of displacement defect (DD) owing to cosmic rays on six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with a 3 nm node nanosheet field-effect transistor (NSFET) is investigated using technology computer-aided design (TCA

Externí odkaz: https://doaj.org/article/4cefa3d3bcba4d04bbd2f873e88403cf

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Akademický článek

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Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm

Autor: Issartel, Dylan

The objectives of this thesis concern the simulation, the design and the characterization of new single-photon avalanche diode (SPAD) structures implemented in 28nm FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) CMOS technology from STMicroelectronics.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::0c25138c7b311aa9536685f46621341d
https://theses.hal.science/tel-03670871

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Dissertation/ Thesis

Étude théorique de la faisabilité des LED à base de ZnGeN2

Autor: Rolles, Mélanie

Le développement de LED à base de nitrures représente un enjeu important tant sur le plan scientifique qu’industriel et sociétal. De par leur large bande interdite, les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures d’éléments III (compos�

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018LORR0206/document

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Theoretical study and feasibility of ZnGeN2-based LED

Autor: Rolles, Mélanie

Publikováno v: Physique [physics]. Université de Lorraine, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LORR0206⟩

Nitride LEDs development presents significant scientific and societal issues. The aim is to get low-cost, high efficiency LEDs with accurate color-rending (typically the Color Rending Index has to be higher than 90). Due to their large band gap (from

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5ff00c0116809cfd81059e9ef7b2e9c3
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02079773

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Compact Modeling of Single Event Latchup of integrated CMOS circuit

Autor: Al Youssef, Ahmad, Artola, Laurent, Ducret, S., Hubert, Guillaume

Publikováno v: RADECS 2018
RADECS 2018, Sep 2018, GOTEBORG, Sweden

International audience; This paper presents a compact model of latchup taking into account design and process dependence. This model was used to confirm the SEL robustness of DFFs used in Readout Circuit of Infrared-sensors developed by Sofradir.ouTh

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::501a6fbf20646c25a7bf694cb6185ae7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01957164

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Dissertation/ Thesis

Terminaisons verticales de jonction remplies avec des couches diélectriques isolantes pour des application haute tension utilisant des composants grand-gap de forte puissance

Autor: Bui, Thi Thanh Huyen

Le développement de l’énergie renouvelable loin des zones urbaines demande le transport d'une grande quantité d’énergie sur de longues distances. Le transport d’électricité en courant continu haute tension (HVDC) présente beaucoup d’av

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018LYSEI061/document

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Vertical termination filled with adequate dielectric on wide band-gap HVDC power devices

Autor: Bui, Thi Thanh Huyen

Publikováno v: Electronique. Université de Lyon, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LYSEI061⟩

The development of renewable energy away from urban areas requires the transmission of a large amount of energy over long distances. High Voltage Direct Current (HVDC) power transmission has many advantages over AC power transmission. In this context

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9b4cb02d83b17abada5d871ce3f28445
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02061320/file/these.pdf

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Dissertation/ Thesis

Étude par modélisation des événements singuliers (SET/SEU/SEL) induits par l'environnement radiatif dans les composants électroniques

Autor: Al Youssef, Ahmad

L’environnement radiatif spatial est particulièrement critique pour la fiabilité des circuits intégrés et systèmes électroniques embarqués. Cet environnement chargé en particules énergétiques (proton, électron, ions lourds, etc) peut con

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017ESAE0021/document

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Dissertation/ Thesis

Study and characterization of electrical overstress aggressors on integrated circuits and robustness optimization of electrostatic discharge protection devices

Autor: Loayza Ramirez, Jorge Miguel

Cette thèse de doctorat s’inscrit dans la thématique de la fiabilité des circuits intégrés dans l’industrie de la microélectronique. Un circuit intégré peut être exposé à des agresseurs électriques potentiellement dangereux pendant to

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017LYSEI044

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