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pro vyhledávání: '"Simulation TCAD"'
Publikováno v:
JNRDM 2016
JNRDM 2016, May 2016, TOULOUSE, France
JNRDM 2016, May 2016, TOULOUSE, France
International audience; Ces travaux présentent une étude par simulation composant des caractéristiques électriques d'un inverseur CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) vis à vis du phénomène Latchup (SEL) en utilisant le simulateur TC
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::427969f96f63b002bba7bd33ca6fcbd8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01442088
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01442088
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 97682-97688 (2023)
In this work, the effect of displacement defect (DD) owing to cosmic rays on six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with a 3 nm node nanosheet field-effect transistor (NSFET) is investigated using technology computer-aided design (TCA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cefa3d3bcba4d04bbd2f873e88403cf
Autor:
Salamero, Christophe
Les travaux de cette thèse ont consisté à développer une méthodologie permettant de prédire, à l'aide d'un outil de simulation physique, le niveau de robustesse d'une structure de protection ESD réduisant ainsi le nombre d'itérations siliciu
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00126914
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/12/69/14/PDF/these_Salamero.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/12/69/14/PDF/these_Salamero.pdf
Autor:
Idrissi-El Oudrhiri, A., Jaud, M.-A., Barraud, S., Rozeau, O., Coquand, R., Martinie, S., Pons, N., Barbé, J.-C., Mouis, M.
Publikováno v:
JNRDM 16èmes Journées du Reseau Doctoral en Micro Nanoélectronique
JNRDM 16èmes Journées du Reseau Doctoral en Micro Nanoélectronique, Jun 2013, Grenoble, France
JNRDM 16èmes Journées du Reseau Doctoral en Micro Nanoélectronique, Jun 2013, Grenoble, France
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e11ec2ea5df0afad361dc335eb3e8099
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01024623
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01024623
Autor:
Sahoo, Amit Kumar
Ce travail de thèse présente une évaluation approfondie des différentes techniques de mesure transitoire et dynamique pour l’évaluation du comportement électro-thermique des transistors bipolaires à hétérojonctions HBT SiGe:C de la technol
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012BOR14557/document
Publikováno v:
2003 International Semiconductor Conference. CAS 2003 Proceedings (IEEE Cat. No.03TH8676).
Industry-standard TCAD software packages are widely used by semiconductor companies to optimise processes and devices in integrated circuits fabrication. After process and device simulation one can go ahead with circuit simulation using Spice. This p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::098221483f7a9cef30a67adc2a453044
https://doi.org/10.1109/smicnd.2003.1252425
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Conference
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Akademický článek
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Autor:
Issartel, Dylan
The objectives of this thesis concern the simulation, the design and the characterization of new single-photon avalanche diode (SPAD) structures implemented in 28nm FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) CMOS technology from STMicroelectronics.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::0c25138c7b311aa9536685f46621341d
https://theses.hal.science/tel-03670871
https://theses.hal.science/tel-03670871