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pro vyhledávání: '"Simulation électrothermique"'
Etudes électrothermiques de dispositifs électroniques innovants pour les technologies submicroniques
Autor:
Lethiecq, Renan
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT029⟩
High density integration in advanced CMOS technology, such as STMicroelectronics’ 28 nm UTBB FD-SOI technology, leads to elevated power density. This results in an increase of the local or global temperature which could cause dysfunction of the sys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::b11a25149a9af3357ffb7ae7709f4a51
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03097350/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03097350/document
Autor:
Lethiecq, Renan
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT029⟩
High density integration in advanced CMOS technology, such as STMicroelectronics’ 28 nm UTBB FD-SOI technology, leads to elevated power density. This results in an increase of the local or global temperature which could cause dysfunction of the sys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b11a25149a9af3357ffb7ae7709f4a51
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03097350/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03097350/document
Autor:
Niu, Shiqin
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof.
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document
Autor:
Niu, Shiqin
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI136〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Silicon carbide (SiC) has higher critical electric field for breakdown and lower intrinsic carrier concentration than silicon, which are very attractive for high power and high temperature power electric applications. In this thesis, a new 3.3kV/20A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1ebdb0a0ccfb0c00485189212d764594
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
Autor:
Garci, Maroua
Cette thèse porte sur le thème général de la fiabilité des circuits microélectroniques. Le but de notre travail fut de développer un outil de simulation multi-physiques pour la conception des circuits intégrés fiables qui possède les caract
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016STRAD020/document
Autor:
DIATTA, Marianne, Amemagne
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Toulouse 3 Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier), 2012. Français. ⟨NNT : ⟩
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Toulouse 3 Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier), 2012. Français
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Toulouse 3 Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier), 2012. Français
National audience; The sensitivity of integrated devices towards electrostatic discharge (ESD) is still highly topical with the reduction of technological dimensions. The electronic applications that have become more portable suffer in their harsh ex
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d0a41039f7fed721f79b2ee4644b4d3f
https://hal.laas.fr/tel-01946859/document
https://hal.laas.fr/tel-01946859/document
Autor:
DIATTA, Marianne, Amemagne
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Toulouse 3 Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier), 2012. Français
National audience; The sensitivity of integrated devices towards electrostatic discharge (ESD) is still highly topical with the reduction of technological dimensions. The electronic applications that have become more portable suffer in their harsh ex
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::d0a41039f7fed721f79b2ee4644b4d3f
https://hal.laas.fr/tel-01946859/document
https://hal.laas.fr/tel-01946859/document
Autor:
Dia, Hussein
Une forte exigence de robustesse s’est imposée dans tous les domaines d’application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut gar
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011ISAT0006/document
Autor:
Dia, Hussein
Une forte exigence de robustesse s'est imposée dans tous les domaines d'application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garanti
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00624193
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/62/41/93/PDF/these_Hussein_complete_VF.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/62/41/93/PDF/these_Hussein_complete_VF.pdf
Autor:
Phou, Ty
Cette thèse porte sur la conception et la réalisation d'un microsystème d'éjection matriciel pour la fonctionnalisation in-situ des puces à ADN. L'objectif est de concevoir et réaliser un système flexible, peu onéreux et performant permettant
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00583924
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/58/39/24/PDF/thA_se_complette.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/58/39/24/PDF/thA_se_complette.pdf