Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Simon T.H. Chan"'
Autor:
Simon T.H. Chan, Elgin Quek, Kheng-Chok Tee, K. H. Jo, Wai Shing Lau, W.K. Aw, Hyung-Rock Kim, Chee-Wee Eng, L. Chan, Kwang-Seng See, James Yong Meng Lee
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 48:919-922
For PMOS (p-channel metal–oxide–semiconductor) transistors isolated by shallow trench isolation (STI) technology, reverse narrow width effect (RNWE) was observed for large gate lengths such that the magnitude of the threshold voltage becomes smal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1751554c2131e85f5684eecca0021618
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2008.02.005
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2008.02.005
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.