Zobrazeno 1 - 10
of 152
pro vyhledávání: '"Silvaco Atlas"'
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4, Pp 427-432 (2024)
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-based thin-film solar cells are currently among the most efficient. Zinc sulfide (ZnS) is the best buffer layer used in CIGS-based solar cells because it is non-toxic and has a wide band gap. In this study, we present a simulation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/242dbdc78d51459c9a8cdfbc22495031
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 20, Iss 3, Pp 1-11 (2024)
This work presents an analysis and design of the two barrier-quantum well asymmetric spacer tunnel layer (QW-ASPAT) diodes for implantable rectenna circuits application. The RF and DC characteristic of a 10×10μm2 QW-ASPAT devices based on GaAs and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92c18451e2f04c0c951c5d36c954f3c9
Autor:
Maklewa Agoundedemba, Mazabalo Baneto, Raphael Nyenge, Nicholas Musila, Kicoun Jean-Yves N'Zi Toure
Publikováno v:
International Journal of Renewable Energy Development, Vol 12, Iss 6, Pp 1131-1140 (2023)
Optimization of optical and electrical properties of active semiconducting layers is required to enhance thin film solar cells' efficiency and consequently became the cornerstone for sustainable energy production. Computational studies are one of the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aedb7bf9ba5c4bc5b8a1d4f3fd83c961
Publikováno v:
Results in Optics, Vol 14, Iss , Pp 100596- (2024)
In this study, the performance of a Cadmium Telluride (CdTe) thin-film solar cell was evaluated with various buffer layers (CdS, ZnSe, ZnO, ZnS) using the Silvaco-Atlas semiconductor device simulator. The impact of these buffer layers on the function
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da7ac8706f2c46b0a7ecadcb3faaa25e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beeac7050054438cb292d85243fdc0c7
Publikováno v:
Electrochem, Vol 3, Iss 3, Pp 407-415 (2022)
The impact of doping concentration and thickness of n-InGaN and p-InGaN regions on the power conversion efficiency of single junction-based InGaN solar cells was studied by the Silvaco ATLAS simulation software. The doping concentration 5 × 1019 cm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16eb36199aa5480e821419ae3a850246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.