Zobrazeno 1 - 10
of 521
pro vyhledávání: '"Silva, R R"'
Autor:
Alaferdov, A. V., Savu, R., Canesqui, M. A., Kopelevich, Y. V., da Silva, R. R., Rozhkova, N. N., Pavlov, D. A., Usov, Yu. V., de Trindade, G. M., Moshkalev, S. A.
Publikováno v:
Carbon 129,826(2018)
Defects induced by liquid-phase exfoliation of graphite using sonication were studied. It was shown that localized impact by cavitation shock waves can produce bulk ripplocations and various types of dislocations in graphite nanoplatelets. Formation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.05391
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Amatto, I. V. da S., Simões, F. A. de O., Garzon, N. G. da R., Marciano, C. L., Silva, R. R. da, Cabral, H.
Publikováno v:
Brazilian Journal of Microbiology; Sep2024, Vol. 55 Issue 3, p2557-2568, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Highly-anisotropic in-plane magneto-resistance (MR) in graphite (HOPG) samples has been recently observed (Y. Kopelevich et al., arXiv:1202.5642) which is negative and linear in low fields in some current direction while it is giant, super-linear and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1208.2866
The ordinary magnetoresistance (MR) of doped semiconductors is positive and quadratic in a low magnetic field, B, as it should be in the framework of the Boltzmann kinetic theory or in the conventional hopping regime. We observe an unusual highly-ani
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.5642
Autor:
Ballestar, A., Esquinazi, P., Barzola-Quiquia, J., Dusari, S., Bern, F., da Silva, R. R., Kopelevich, Y.
The carrier density in tens of nanometers thick graphite samples (multi-layer-graphene, MLG) has been modified by applying a gate voltage ($V_g$) perpendicular to the graphene planes. Surface potential microscopy shows inhomogeneities in the carrier
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.3327