Zobrazeno 1 - 5 of 5 pro vyhledávání: '"Sillmon, R. S."'
1
Akademický článek
High temperature characteristics of amorphous TiWSix nonalloyed ohmic contacts to GaAs.
Autor: Papanicolaou, N. A., Jones, S. H., Jones, J. R., Anderson, W. T., Sillmon, R. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1992, Vol. 72 Issue 10, p4954, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Photoreflectance surface Fermi level measurements of GaAs subjected to various chemical treatments.
Autor: Gaskill, D. K., Bottka, N., Sillmon, R. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 5, p1497-1501, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Periodical
Modulation spectroscopy as a tool for electronic material characterization
Autor: Bottka, N., Gaskill, D. K., Sillmon, R. S., Henry, R., Glosser, R.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; March 1988, Vol. 17 Issue: 2 p161-170, 10p
Zobrazit plný text záznamu
4
Periodical
OMVPE growth of p-AlGaAs/GaAs heterojunctions using diethylberyllium
Autor: Sillmon, R. S., Hues, S. M., Gaskill, D. K., Bottka, N., Thompson, P. E.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; July 1989, Vol. 18 Issue: 4 p501-504, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
On-demand atmospheric pressure storage system for AsH3 and PH3.
Autor: Sillmon, R. S., Freitas, J. A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/8/1990, Vol. 56 Issue 2, p174, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje