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Proceedings of the 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | 06/10/2008-10/10/2008 | Montreaux, Suiza
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GaN-based devices have demonstrated excellent performance for electronics and optoelectronics applications. In particular, these devices exhibit very good performance when operated at high temperatures and in harsh environments when compared to simil
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::53cc96d617d20820c819887724169067
https://oa.upm.es/3913/
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Autor:
Cuerdo Bragado, Roberto, Sillero Herrero, Eugenio, Romero Rojo, Fátima, Uren, M., Muñoz Merino, Elias, Calle Gómez, Fernando
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Proceedings of the 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | The 5th International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | 06/10/2008-10/10/2008 | Montreaux (Suiza)
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GaN-based transistors have demonstrated to be the most promising candidates for applications with high power and high frequency requirements, and working in harsh environments. They take advantage of some interesting properties of nitrides such as th
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b4d4909169f29e4b87d88738cda590ed
https://oa.upm.es/3876/
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Autor:
Sillero Herrero, Eugenio
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Archivo Digital UPM
Universidad Politécnica de Madrid
Universidad Politécnica de Madrid
Los sistemas micro electro mecánicos (MEMS) han demostrado ser una exitosa familia de dispositivos que pueden usarse como plataforma para el desarrollo de dispositivos con aplicaciones en óptica, comunicaciones, procesado de señal y sensorización
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::de935fc60fa554a664e9c2889e253007
http://hdl.handle.net/10803/453689
http://hdl.handle.net/10803/453689