Zobrazeno 1 - 10
of 643
pro vyhledávání: '"Silicon-germanium (SiGe)"'
Autor:
U. R. Pfeiffer, A. Kutaish
Publikováno v:
IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society, Vol 4, Pp 1-11 (2024)
The terahertz (THz) frequency range is widely considered the most challenging and underdeveloped frequency range due to the lack of technologies to effectively bridge the transition region between microwaves (below 100 GHz) and optics (above 10 000 G
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/57b89ffbd592458886fd8c737f57b51f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vincenzo d’Alessandro, Antonio Pio Catalano, Ciro Scognamillo, Markus Müller, Michael Schröter, Peter J. Zampardi, Lorenzo Codecasa
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 15, p 5457 (2022)
This paper presents a comprehensive overview of nonlinear thermal effects in bipolar transistors under static conditions. The influence of these effects on the thermal resistance is theoretically explained and analytically modeled using the single-se
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dc07cc77f8e74b3bae0ec6f37d44ff6b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.