Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Silicon-based photodetectors"'
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 11, p 952 (2024)
The integration of aluminum gallium nitride (AlGaN) with silicon substrates attracts significant attention due to the superior UV sensitivity of AlGaN and the cost-effectiveness as well as mechanical robustness of silicon. A PIN ultraviolet photodete
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b18939caf3ab4b17b95d0f3d91249ef3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 65 (6), pp.2537-2543. ⟨10.1109/TED.2018.2828166⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 65 (6), pp.2537-2543. ⟨10.1109/TED.2018.2828166⟩
The intrinsic frequency response of silicon–germanium heterojunction bipolar phototransistors (HPTs) at 850 nm is studied to be implemented in multimode fiber systems. The experimental analysis of an HPT with an optical window size of $\textsf {10}
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7fceaa0b0093e203f324938f2a21feb0
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2828166
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2828166
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics
IEEE Journal of Quantum Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, pp.1-1. ⟨10.1109/JQE.2018.2822179⟩
IEEE Journal of Quantum Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, pp.1-1. ⟨10.1109/JQE.2018.2822179⟩
International audience; — The influence of the lateral scaling such as emitter width and length on the frequency behavior of SiGe bipolar transistor is experimentally studied.Electrical transistors of different emitter sizesare designed and fabrica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f685d374bb24cd6781a4e7094fda546b
https://oatao.univ-toulouse.fr/23726/
https://oatao.univ-toulouse.fr/23726/
Autor:
Marc Rosales, Jean-Luc Polleux, Catherine Algani, Marjorie Grzeskowiak, Zerihun Gedeb Tegegne, Elodie Richalot, Carlos Viana
Publikováno v:
2015 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP)
2015 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP), Oct 2015, Paphos, Cyprus. pp.1-4, ⟨10.1109/MWP.2015.7356678⟩
2015 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP), Oct 2015, Paphos, Cyprus. pp.1-4, ⟨10.1109/MWP.2015.7356678⟩
International audience; This paper provides a study on the substrate effect on the opto-microwave behavior of Silicon-Germanium Heterojunction bipolar Photo-Transistors (HPT). An Opto-Microwave Scanning Near Field Optical Microscopy (OM-SNOM) is perf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::83edc41641f0aa76bb3fe2e401a62417
https://doi.org/10.1109/mwp.2015.7356678
https://doi.org/10.1109/mwp.2015.7356678
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.