Zobrazeno 1 - 10
of 281
pro vyhledávání: '"Silicon nanotube"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1100-1108 (2019)
Silicon-Nanotube-based ultra-thin DGAA MOSFETs have been extensively studied for their superior immunity to short channel effects (SCEs) and better drive current capability; however, the reliability issues owing to self-heating effects (SHEs) and hot
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bae845e55fa74d5a98be872722acdd12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen Feng, Shiyuan Liu, Junjie Li, Maoyuan Li, Siyi Cheng, Chen Chen, Tielin Shi, Zirong Tang
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 3, p 564 (2021)
Carbon-coated silicon nanotube (SiNT@CNT) anodes show tremendous potential in high-performance lithium ion batteries (LIBs). Unfortunately, to realize the commercial application, it is still required to further optimize the structural design for bett
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fa240af790f0493dac74a2463ee78536
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Electronics. 109:721-732
A vertical p-type 3D Silicon nanotube field effect transistor (p-type Si-NTFET) is designed and simulated by using the tool Sentaurus Technology computer-aided design (TCAD). To improve the perform...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10cc8d53a28bdb8d38939c7bc2ddb7ae
https://doi.org/10.1080/00207217.2021.1941288
https://doi.org/10.1080/00207217.2021.1941288
Autor:
Sandip Bhattacharya, Parveen Singla, Deboraj Muchahary, J. Ajayan, Shubham Tayal, Biswajit Jena
Publikováno v:
Silicon. 14:5225-5230
This manuscript investigates the effect of inner gate engineering (IGE) on the linearity and harmonic distortion performance of junctionless (JL) silicon-nanotube (Si-NT) FETs for wireless applications. The three configurations of JL-Si-NT-FET namely
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::173c330d946e49034ca495de84fc8abc
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01313-y
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01313-y
Publikováno v:
Transactions on Electrical and Electronic Materials. 23:362-370
In this paper, an analytical model for junctionless nanotube (JL NT) MOSFET has been developed. The analytical model for minimum central potential, threshold voltage and drain current has been developed by using variable separation method. These mode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03d008817a92aa88def616cab3d843cd
https://doi.org/10.1007/s42341-021-00349-6
https://doi.org/10.1007/s42341-021-00349-6