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pro vyhledávání: '"Silicium sur Isolant (SOI)"'
Autor:
Gallet, Antonin
L’intégration photonique permet de réduire la taille et la consommation d’énergie des systèmes de communication par fibre optique par rapport aux systèmes assemblés à partir de composants unitaires. Cette technologie a récemment suscité
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019SACLT019/document
Autor:
Damianos, Dimitrios
Cette thèse s’intéresse à une technique de caractérisation particulièrement bien adaptée à l’étude de couches diélectriques ultra-minces sur semiconducteurs. La génération de seconde harmonique (SHG) est une méthode très prometteuse,
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT072/document
Autor:
Damianos, Dimitrios
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2018. English. ⟨NNT : 2018GREAT072⟩
This PhD work was developed in the context of research for novel characterization methods for ultra-thin dielectric films on semiconductors and their interfacial quality. Second harmonic generation (SHG) is a very promising non-invasive technique bas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::36c7555b3d8cc230083ea83545b8d145
https://theses.hal.science/tel-02015375
https://theses.hal.science/tel-02015375
Autor:
Massy, Damien
La technologie Smart Cut™ est un procédé générique de transfert de couches minces utilisé pour la fabrication des substrats silicium sur isolant (SOI) à l’échelle industrielle. L’implantation d’ions légers dans un substrat de silicium
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAY101
Autor:
Pirro, Luca
Les substrats Silicium-sur-Isolant (SOI) représentent la meilleure solution pour obtenir des dispositifs microélectroniques ayant de hautes performances. Des méthodes de caractérisation électrique sont nécessaires pour contrôler la qualité SO
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT096/document
Autor:
Luca, Pirro
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Univesite Grenoble Alpes, 2015. English
Silicon-on-insulator (SOI) substrates represent the best solution to achieve high performance devices. Electrical characterization methods are required to monitor the material quality before full transistor fabrication. The classical configuration us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::ac177b7862bfd51c469a411dc842e5eb
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01248296/file/Pirro_thesis.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01248296/file/Pirro_thesis.pdf
Autor:
Luca, Pirro
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Univesite Grenoble Alpes, 2015. English
Silicon-on-insulator (SOI) substrates represent the best solution to achieve high performance devices. Electrical characterization methods are required to monitor the material quality before full transistor fabrication. The classical configuration us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ac177b7862bfd51c469a411dc842e5eb
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01248296
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01248296
Autor:
Passanante, Thibault
Ce travail de thèse est consacré à l’étude expérimentale des mécanismes de démouillage de films solides d’épaisseur nanométrique conduisant à la transformation d’un film mince en une assemblée d’îlots tridimensionnels. L’utilisa
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014AIXM4020
Autor:
Mogniotte, Jean-François
L’émergence d’interrupteurs de puissance en SiC permet d’envisager des convertisseurs de puissance capables de fonctionner au sein des environnements sévères tels que la haute tension (> 10 kV ) et la haute température (> 300 °C). Aucune s
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014ISAL0004/document
Autor:
Mogniotte , Jean-François
Publikováno v:
Electronique. INSA de Lyon, 2014. Français. ⟨NNT : 2014ISAL0004⟩
Electronique. INSA de Lyon, 2014. Français. 〈NNT : 2014ISAL0004〉
Electronique. INSA de Lyon, 2014. Français. 〈NNT : 2014ISAL0004〉
The new SiC power switches is able to consider power converters, which could operate in harsh environments as in High Voltage (> 10kV) and High Temperature (> 300 °C). Currently, they are no specific solutions for controlling these devices in harsh
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::366f7c6cce0183f203a4f3fe9f03cd35
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01077715/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01077715/document