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pro vyhledávání: '"Silicium amorphe"'
Autor:
Mathieu-Pennober, Tiphaine
The exploitable solar potential corresponds to more than twice the final human consumption of energy in 2019. Yet, only 0.2 % of thus potential is used today for photovoltaic conversion. Crystalline silicon, which holds 95 % of the market, is an adva
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::6f98370885fbd1d929027f41ff05c8bd
https://theses.hal.science/tel-03771855
https://theses.hal.science/tel-03771855
Autor:
Brodu, Agathe
Publikováno v:
Matériaux. Université de Limoges, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LIMO0051⟩
One of the main limitations of microalgae culture is the low efficiency of sunlight conversion. If the culture takes place in a closed medium, a photobioreactor, another limitation is the energy consumption. Semi-transparent solar cells technologies
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::4119475b95a62d02fac977bdc317c3ad
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03041565/file/2020LIMO0051.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03041565/file/2020LIMO0051.pdf
Autor:
Brodu, Agathe
Publikováno v:
Matériaux. Université de Limoges, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LIMO0051⟩
One of the main limitations of microalgae culture is the low efficiency of sunlight conversion. If the culture takes place in a closed medium, a photobioreactor, another limitation is the energy consumption. Semi-transparent solar cells technologies
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::4119475b95a62d02fac977bdc317c3ad
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03041565/file/2020LIMO0051.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03041565/file/2020LIMO0051.pdf
Autor:
Codsi, Stéphanie
Le mémoire qui suit vise à vérifier si la formation de traces latentes par des ions lourds et rapides passe par une phase liquide. Compte tenu du fait que le processus de formation des traces est trop rapide pour être directement étudié, notre
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http://hdl.handle.net/1866/24367
Autor:
S. Djerroud, A. Boudghene Stambouli
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 13, Iss 4, Pp 613 – 623-613 – 623 (2010)
La qualité des générateurs photovoltaïques (GPV) installés jusqu’à présent pouvait être contrôlée uniquement par le biais de système de mesures onéreux et peu pratique. Deux points importants sont étudiés dans le cadre de ce travail.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef9e1d0aa02d4799bad4696b0b79893f
Autor:
Guillotte, Maxime
Dans cette thèse nous avons étudié en détail les propriétés mécaniques de l’or sous forme de nanofils et de structures nanoporeuses revêtues ou non de silicium amorphe (a-Si). Ces travaux ont été effectués par dynamique moléculaire. Nou
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019POIT2294/document
Autor:
Guillotte, Maxime
Publikováno v:
Mécanique des matériaux [physics.class-ph]. Université de Poitiers, 2019. Français. ⟨NNT : 2019POIT2294⟩
In this thesis we have studied in detail the mechanical properties of gold nanowires and nanoporous gold with and without an amorphous silicon coating (a-Si). This work was done using molecular dynamics simulation. We first studied the cyclic deforma
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::5e0b8b00e56fa35bfe3e7602d19bb62d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02473079/file/2019-Guillotte-Maxime-These.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02473079/file/2019-Guillotte-Maxime-These.pdf
Autor:
Réaux, David
Les cellules à hétérojonctions de silicium (HET-Si) sont basées sur un substrat de silicium cristallin (c-Si) dopé n (p), une couche très fine de passivation (en général du silicium amorphe (a-Si:H) non dopé), et une couche d’une dizaine d
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017SACLS174/document
Autor:
Réaux, David
Publikováno v:
Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Paris Saclay (COmUE), 2017. Français. ⟨NNT : 2017SACLS174⟩
Silicon heterojunction (Si- HET) solar cells are based on an n-doped (p-doped) crystalline silicon (c-Si) substrate, a very thin (a few nanometers) passivation layer of undoped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and a layer of p-doped (n-doped)
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0adf8b75794591164ef1c9ece5cbb8ae
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01613084/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01613084/document