Zobrazeno 1 - 10
of 147
pro vyhledávání: '"Sigg, H. P."'
Autor:
Reboud, V., Buca, D., Sigg, H., Hartmann, J. M., Ikonic, Z., Pauc, N., Calvo, V., Rodriguez, P., Chelnokov, A.
Silicon photonics in the near-Infra-Red, up to 1.6 um, is already one of key technologies in optical data communications, particularly short-range. It is also being prospected for applications in quantum computing, artificial intelligence, optical si
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.10220
Autor:
Beckert, A., Hermans, R. I., Grimm, M., Freeman, J. R., Linfield, E. H., Davies, A. G., Müller, M., Sigg, H., Gerber, S., Matmon, G., Aeppli, G.
We use complementary optical spectroscopy methods to directly measure the lowest crystal-field energies of the rare-earth quantum magnet LiY$_{1-x}$Ho$_{x}$F$_{4}$, including their hyperfine splittings, with more than 10 times higher resolution than
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.09233
Autor:
Reboud, V., Gassenq, A., Pauc, N., Aubin, J., Milord, L., Thai, Q. M., Bertrand, M., Guilloy, K., Rouchon, D., Rothman, J., Zabel, T., Pilon, F. Armand, Sigg, H., Chelnokov, A., Hartmann, J. M., Calvo, V.
Recent demonstrations of optically pumped lasers based on GeSn alloys put forward the prospect of efficient laser sources monolithically integrated on a Si photonic platform. For instance, GeSn layers with 12.5% of Sn were reported to lase at 2.5 um
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.06436
Autor:
Guilloy, K., Pauc, N., Gassenq, A., Niquet, Y. M., Escalante, J. M., Duchemin, I., Tardif, S., Dias, G. Osvaldo, Rouchon, D., Widiez, J., Hartmann, J. M., Geiger, R., Zabel, T., Sigg, H., Faist, J., Chelnokov, A., Reboud, V., Calvo, V.
Germanium is a strong candidate as a laser source for silicon photonics. It is widely accepted that the band structure of germanium can be altered by tensile strain so as to reduce the energy difference between its direct and indirect band gaps. Howe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1606.01668
Autor:
Gassenq, A., Tardif, S., Guilloy, K., Dias, G. Osvaldo, Pauc, N., Duchemin, I., Rouchon, D., Hartmann, J-M., Widiez, J., Escalante, J., Niquet, Y-M., Geiger, R., Zabel, T., Sigg, H., Faist, J., Chelnokov, A., Rieutord, F., Reboud, V., Calvo, V.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 108, 241902 (2016)
Ge under high strain is predicted to become a direct bandgap semiconductor. Very large deformations can be introduced using microbridge devices. However, at the microscale, strain values are commonly deduced from Raman spectroscopy using empirical li
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1604.04391
Autor:
Geiger, R., Zabel, T., Marin, E., Gassenq, A., Hartmann, J. -M., Widiez, J., Escalante, J., Guilloy, K., Pauc, N., Rouchon, D., Diaz, G. Osvaldo, Tardif, S., Rieutord, F., Duchemin, I., Niquet, Y. -M., Reboud, V., Calvo, V., Chelnokov, A., Faist, J., Sigg, H.
We demonstrate the crossover from indirect- to direct band gap in tensile-strained germanium by temperature-dependent photoluminescence. The samples are strained microbridges that enhance a biaxial strain of 0.16% up to 3.6% uniaxial tensile strain.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.03454
We explore the midinfrared absorption of strain-compensated p-Si0.2Ge0.8/Si quantum wells for various well thicknesses and temperatures. Owing to the large band offset due to the large bi-axial strain contrast between the wells and barriers, the inte
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0505338
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.