Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Sigeto R. Nishitani"'
Autor:
Kaihei Inoue, Takayuki Ohsawa, Sigeto R. Nishitani, Koji Inoue, Hideki Otubo, Naoki Ebisawa, Hisashi Takamizawa, Yasuyoshi Nagai, Kentaro Kutsukake, Yasuo Shimizu, Ichiro Yonenaga, Ryo Taniguchi, Hideto Yoshida, Momoko Deura, Seiji Takeda, Yutaka Ohno
Publikováno v:
Physical Review B. 91
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec2dd493687803634786aa36ec008f44
https://doi.org/10.1103/physrevb.91.235315
https://doi.org/10.1103/physrevb.91.235315
Autor:
Yuki Tokumoto, Kensuke Togase, Ichiro Yonenaga, Sigeto R. Nishitani, Hiroto Taneichi, Yutaka Ohno
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 407:3006-3008
The width of a stacking fault ribbon bound by a pair of partial dislocations in silicon crystals was unchanged when boron and gallium atoms of p-type dopant were agglomerated nearby the ribbon by annealing, even though the width increased when n-type
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8daf6b19001aa1928686b7970ad88f68
https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.064
https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.064
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.