Zobrazeno 1 - 10
of 110
pro vyhledávání: '"Siemers, M."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kubart, T., Schmidt, R.M., Austgen, M., Nyberg, T., Pflug, A., Siemers, M., Wuttig, M., Berg, S.
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 15 August 2012 206(24):5055-5059
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 2010 204(23):3882-3886
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hofmann, M., Wagenmann, D., Teßmann, C., Jäcklein, M., Saint-Cast, P., Eberlein, D., Kraft, A., Dippell, T., May, F., Dörr, M., Cord, B., Schütte, T., Neiß, P., Eichhorn, L., Klick, M., Richter, U., Siemers, M., Wiedemuth, P.
35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 385-389
Very thin aluminum oxide passivation films (3.7 nm) are developed using ICP PECVD and applying plasma simulation (particle-in-cell Monte Carlo method), in-situ plasma cha
Very thin aluminum oxide passivation films (3.7 nm) are developed using ICP PECVD and applying plasma simulation (particle-in-cell Monte Carlo method), in-situ plasma cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7aca8c8bc9790db876d0641ba6168cd
Publikováno v:
In British Journal of Anaesthesia August 2002 89(2):294-300
Hydrogen-doped indium oxide (IOH) is a transparent conductive oxide offering great potential to optoelectronic applications because of its high mobility of over 100 cm2 V−1s−1. In films deposited statically by RF magnetron sputtering, a small are
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::e6473e899c356162d211182e742942e9
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/245277
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/245277
Autor:
Hofmann, M., Jäcklein, M., Saint-Cast, P., Wagenmann, D., Cord, B., Dippell, T., Dörr, M., Schütte, T., Siemers, M.
32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 345-349
The detailed analysis of the ICP-PECVD plasma process using spectroscopic plasma monitoring and the ex-situ analysis of the manufactured layers and interfaces to the c-Si
The detailed analysis of the ICP-PECVD plasma process using spectroscopic plasma monitoring and the ex-situ analysis of the manufactured layers and interfaces to the c-Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e47d030e0b5947674c9d2405ec9fbc66
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.