Výsledky vyhledávání

Report

A new technique for the determination of the critical current density in superconducting films and flat samples

Autor: McLoughlin, Conor, Bernstein, Pierre, Thimont, Yohann, Siejka, J.

The determination of their critical current density in the whole range of the temperature below Tc is of first importance to understand the physical processes occurring in superconducting films. We describe here a technique suitable for square films

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1207.5682

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Measurements of the surface critical current of YBa2Cu3O7-δ thin films: Probing the nonuniformity of their superconducting critical temperature along the c-axis.

Autor: Bernstein, P., Mosqueira, J., Siejka, J., Vidal, F., Thimont, Y., McLoughlin, C., Ferro, G.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2010, Vol. 107 Issue 12, p123901, 8p, 1 Diagram, 4 Charts, 9 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Investigation of ionic transport mechanisms during plasma anodization of Si and Si through ZrO2.

Autor: Pelloie, B., Perrière, J., Siejka, J., Debenest, P., Straboni, A., Vuillermoz, B.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1988, Vol. 63 Issue 8, p2620, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Low-temperature plasma anodization of tantalum silicides.

Autor: Perrière, J., Siejka, J., Climent, A., Navarro, E., Martinez-Duart, J. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1987, Vol. 61 Issue 7, p2656, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Transport number measurements during plasma anodization of Si, GaAs, and ZrSi2.

Autor: Perrière, J., Siejka, J., Rémili, N., Laurent, A., Straboni, A., Vuillermoz, B.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1986, Vol. 59 Issue 8, p2752, 8p, 2 Diagrams, 3 Charts, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Interface oxidation of epitaxial silicon deposits on (100) yttria stabilized cubic zirconia.

Autor: Pribat, D., Mercandalli, L. M., Siejka, J., Perriere, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1985, Vol. 58 Issue 1, p313, 8p, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Study of oxygen transport processes during plasma anodization of Si between room temperature and 600 °C.

Autor: Perriere, J., Siejka, J., Chang, R. P. H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p2716-2724, 9p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Pulsed laser irradiation of GaAs under oxygen and silane atmosphere: Incorporation, losses, influence of native oxide.

Autor: Cohen, C., Siejka, J., Berti, M., Drigo, A. V., Bentini, G. G., Pribat, D., Jannitti, E.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1984, Vol. 55 Issue 11, p4081-4087, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Titanium silicide formation: Effect of oxygen distribution in the metal film.

Autor: Berti, M., Drigo, A. V., Cohen, C., Siejka, J., Bentini, G. G., Nipoti, R., Guerri, S.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1984, Vol. 55 Issue 10, p3558-3565, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Composition, structure, and ac conductivity of rf-sputtered calcia-stabilized zirconia thin films.

Autor: Croset, M., Schnell, J. P., Velasco, G., Siejka, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1977, Vol. 48 Issue 2, p775-780, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání