Zobrazeno 1 - 10
of 142
pro vyhledávání: '"SiOx films"'
Autor:
Zaira Jocelyn Hernández Simón, Jose Alberto Luna López, Alvaro David Hernández de la Luz, Sergio Alfonso Pérez García, Alfredo Benítez Lara, Godofredo García Salgado, Jesus Carrillo López, Gabriel Omar Mendoza Conde, Hayde Patricia Martínez Hernández
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 10, Iss 7, p 1415 (2020)
In the present work, non-stoichiometric silicon oxide films (SiOx) deposited using a hot filament chemical vapor deposition technique at short time and simple parameters of depositions are reported. This is motivated by the numerous potential applica
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9785698ab9e74e48b124c936c2d283e0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vlasova M., Aguilar Márquez P.A., Reséndiz-González M.C., Kakazey M., Stetsenko V., Tomila T., Ragulya A.
Publikováno v:
Science of Sintering, Vol 40, Iss 1, Pp 69-78 (2008)
Using electron microscopy, atomic force microscopy, X-ray microanalysis, and IR spectroscopy, it was established that, in the regime of continuous laser irradiation of silicon at P = 170 W in different gaseous atmospheres with an oxygen impurity, SiO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06f9f0a933d64457af2931caca3f1003
Publikováno v:
Surface & Coatings Technology, 347, 46-53. Elsevier Science
Residual stress measurements of thin films are common practice in device technology and are extremely important in particular for the characterization of thin film coatings. A largely ignored stress contribution is the difference in coefficient of hy
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hayde Patricia Martínez Hernández, Alvaro David Hernández de la Luz, Sergio Alfonso Pérez García, Zaira Jocelyn Hernández Simón, Jesús Carrillo López, Alfredo Benítez Lara, Godofredo Garcia Salgado, Gabriel Omar Mendoza Conde, José Alberto Luna López
Publikováno v:
Nanomaterials
Volume 10
Issue 7
Nanomaterials, Vol 10, Iss 1415, p 1415 (2020)
Volume 10
Issue 7
Nanomaterials, Vol 10, Iss 1415, p 1415 (2020)
In the present work, non-stoichiometric silicon oxide films (SiOx) deposited using a hot filament chemical vapor deposition technique at short time and simple parameters of depositions are reported. This is motivated by the numerous potential applica
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 7 (2014); 712
Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 712
Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 712
The distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at the single pulse laser annealing has been studied theoretically. Temperature distributions on the surface of the SiOx films at irradiation by a laser beam with various intens
Publikováno v:
Plasma Medicine
Plasma Medicine, Begell House, 2018, 8 (2), pp.131-146. ⟨10.1615/PlasmaMed.2018024542⟩
Plasma Medicine, Begell House, 2018, 8 (2), pp.131-146. ⟨10.1615/PlasmaMed.2018024542⟩
International audience; SiOx films were deposited using an atmospheric-pressure transporting discharge, and we adopted tetraethyl orthosilicate (TEOS) as the precursor. We studied the effects of nozzle-substrate distance, applied power, deposition ti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::92c08bb9be634c14aca7a6427f886132
https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01836641
https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01836641
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.