Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"SiNx stress-engineered"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chenkai Deng, Chuying Tang, Peiran Wang, Wei-Chih Cheng, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Yi Zhang, Yang Jiang, Nick Tao, Qing Wang, Hongyu Yu
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 22, p 1817 (2024)
In this work, we present the novel application of SiNx stress-engineering techniques for the suppression of short-channel effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), accompanied by a comprehensive analysis of the underlying mecha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b90927515597489db68dd050236b6d89
Autor:
Chenkai Deng, Peiran Wang, Chuying Tang, Qiaoyu Hu, Fangzhou Du, Yang Jiang, Yi Zhang, Mujun Li, Zilong Xiong, Xiaohui Wang, Kangyao Wen, Wenmao Li, Nick Tao, Qing Wang, Hongyu Yu
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 18, p 1471 (2024)
In this work, the DC performance and RF characteristics of GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) using the SiNx stress-engineered technique were systematically investigated. It was observed that a significant reduction in the peak elec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86df95d5e0e845d5b75288dcc2a694a2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deng, Chenkai, Wang, Peiran, Tang, Chuying, Hu, Qiaoyu, Du, Fangzhou, Jiang, Yang, Zhang, Yi, Li, Mujun, Xiong, Zilong, Wang, Xiaohui, Wen, Kangyao, Li, Wenmao, Tao, Nick, Wang, Qing, Yu, Hongyu
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); Sep2024, Vol. 14 Issue 18, p1471, 9p