Zobrazeno 1 - 10
of 1 235
pro vyhledávání: '"SiNx"'
Publikováno v:
Nano Trends, Vol 7, Iss , Pp 100044- (2024)
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) of amorphous silicon nitride (SiNx) thin films is a critical procedure in microelectronics serving as a surface passivation layer and dielectric barrier. However, intrinsic film stress continuously bu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2dac6754681d4530ad61ff74918bc521
Autor:
Chenkai Deng, Chuying Tang, Peiran Wang, Wei-Chih Cheng, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Yi Zhang, Yang Jiang, Nick Tao, Qing Wang, Hongyu Yu
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 22, p 1817 (2024)
In this work, we present the novel application of SiNx stress-engineering techniques for the suppression of short-channel effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), accompanied by a comprehensive analysis of the underlying mecha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b90927515597489db68dd050236b6d89
Autor:
Chenkai Deng, Peiran Wang, Chuying Tang, Qiaoyu Hu, Fangzhou Du, Yang Jiang, Yi Zhang, Mujun Li, Zilong Xiong, Xiaohui Wang, Kangyao Wen, Wenmao Li, Nick Tao, Qing Wang, Hongyu Yu
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 18, p 1471 (2024)
In this work, the DC performance and RF characteristics of GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) using the SiNx stress-engineered technique were systematically investigated. It was observed that a significant reduction in the peak elec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86df95d5e0e845d5b75288dcc2a694a2
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 15, p 1306 (2024)
As the driving source, highly efficient silicon-based light emission is urgently needed for the realization of optoelectronic integrated chips. Here, we report that enhanced green electroluminescence (EL) can be obtained from oxygen-doped silicon nit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3b11ba31996346b2960ffedfcf6e0efa
Autor:
Reinoud Wolffenbuttel, Declan Winship, David Bilby, Jaco Visser, Yutao Qin, Yogesh Gianchandani
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 11, p 3597 (2024)
Fabry–Perot interferometers (FPIs), comprising foundry-compatible dielectric thin films on sapphire wafer substrates, were investigated for possible use in chemical sensing. Specifically, structures comprising two vertically stacked distributed Bra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b74281b9fe714c7db0ee4e437e5aeec0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Longge Deng, Likun Zhou, Hao Lu, Ling Yang, Qian Yu, Meng Zhang, Mei Wu, Bin Hou, Xiaohua Ma, Yue Hao
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 11, p 2104 (2023)
Passivation is commonly used to suppress current collapse in AlGaN/GaN HEMTs. However, the conventional PECV-fabricated SiNx passivation layer is incompatible with the latest process, like the “passivation-prior-to-ohmic” method. Research attenti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af82861b808340929b3f54491743aca7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.