Zobrazeno 1 - 10
of 173
pro vyhledávání: '"SiGeSn"'
Autor:
Ioana Dascalescu, Catalin Palade, Adrian Slav, Ionel Stavarache, Ovidiu Cojocaru, Valentin Serban Teodorescu, Valentin-Adrian Maraloiu, Ana-Maria Lepadatu, Magdalena Lidia Ciurea, Toma Stoica
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-11 (2024)
Abstract SiGeSn nanocrystals (NCs) in oxides are of considerable interest for photo-effect applications due to the fine-tuning of the optical bandgap by quantum confinement in NCs. We present a detailed study regarding the silicon germanium tin (SiGe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5b9061060d04fdda2babc0411e23920
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Steuer, Oliver
Within the framework of this thesis, the influence of non equilibrium post growth thermal treatments of ion implanted and epitaxially grown Ge1-xSnx and Si1-x-yGeySnx layers for nano and optoelectronic devices has been investigated. The main focus ha
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A92554
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A92554/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A92554/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 10, Iss 1, Pp 1-9 (2018)
A tensile-strained GeSn/SiGeSn multiple quantum well (MQW) laser wrapped in Si3N4 liner stressor is designed and characterized theoretically. A biaxial tensile strain is introduced into the GeSn/SiGeSn MQW laser by the Si3N4 liner stressor. The boost
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29d918ad3b7149dead772dfe42abb7b9