Zobrazeno 1 - 10
of 193
pro vyhledávání: '"SiGeC"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pérez Díaz, Marieldis
Los servicios prestados la Unidad de Comunicaciones y Relaciones Públicas de la Universidad de Córdoba están comprometidos con la buena imagen de la Institución de acuerdo a su misión, planes y proyectos institucionales por ello en su quehacer b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______9494::a0cac2375de814e195376adc74ebbca5
https://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/2753
https://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/2753
A near infrared waveguide photodetector in Si-based ternary Si₁âxâyGexCy alloy was demonstrated for 0.85~1.06 µm wavelength fiber-optic interconnection system applications. Two sets of detectors with active absorption layer compositions
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1721.1/3985
Autor:
Roscher, Willi
In der vorliegenden Arbeit wurde ausgedehntes Si_1−x Ge_x für unterschiedliche Zusammensetzungen 0 ≤ x ≤ 1 untersucht. Die Untersuchungen basierten auf der DFT, wobei das Programm QuantumATK 18.06 zum Einsatz kam. Für die Korrektur der Bandl
Publikováno v:
Energy Procedia. 84:236-241
For the improvement of today's well established silicon solar cells a further significant increase in light conversion efficiency needs the consideration of multi junction aspects. In this context 3C-SiC with a bandgap of 2.3 eV has already been disc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d0a1fd0ff8a40308adbf7585aedcf7ff
Autor:
Potéreau, Manuel
La constante amélioration des technologies silicium permet aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) SiGeC (Silicium-Germanium : Carbone) de concurrencer les composants III-V pour les applications millimétriques et sous-THz (jusqu’à 3
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015BORD0243/document
Autor:
Quiroga, Andrés
Le travail porte sur le développement et l’optimisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe et SiGeC par conception technologique assistée par ordinateur (TCAD). L'objectif est d'aboutir à un dispositif performant réalisabl
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013PA112273/document
Autor:
Quiroga, Andrés
Publikováno v:
Other [cond-mat.other]. Université Paris Sud-Paris XI, 2013. English. ⟨NNT : 2013PA112273⟩
The present work investigates the technology development of state-of-the-art SiGe and SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) by means of technology computer aided design (TCAD). The objective of this work is to obtain an advanced HBT very clo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::4a735696956d43ccacc0be675b947ba5
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00938619/file/VD2_QUIROGA_ANDRES_14112013.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00938619/file/VD2_QUIROGA_ANDRES_14112013.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Riccardo Lattuada
Pubblicazione di due dipinti inediti di Francesco de Mura nella sede del Consolato d'Italia a New York, e un contributo sugli indirizzi strategici e operativi della tutela dei beni artistici in consegna alle sedi diplomatiche italiane all'estero.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3977::9fcb0bc38862e862938c1aee7249a3e8
http://hdl.handle.net/11591/394524
http://hdl.handle.net/11591/394524