Zobrazeno 1 - 10
of 2 461
pro vyhledávání: '"SiGeC"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Energy Procedia December 2015 84:236-241
Publikováno v:
In Journal of Computational and Applied Mathematics 15 March 2014 259 Part B:925-936
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pérez Díaz, Marieldis
Los servicios prestados la Unidad de Comunicaciones y Relaciones Públicas de la Universidad de Córdoba están comprometidos con la buena imagen de la Institución de acuerdo a su misión, planes y proyectos institucionales por ello en su quehacer b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______9494::a0cac2375de814e195376adc74ebbca5
https://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/2753
https://repositorio.unicordoba.edu.co/handle/ucordoba/2753
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2011 257(22):9414-9419
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2010 518(9):2437-2441
Autor:
Jérémy Vives, Stephane Verdier, Fabien Deprat, Marvin Frauenrath, Romain Duru, Marc Juhel, Gregory Berthome, Didier Chaussende
Publikováno v:
Journal of Materials Chemistry C.
One of the most important questions concerning the epitaxial growth of Si1-yCy or Si1-x-yGexCy is the ratio of carbon incorporated into substitutional and interstitial sites, which is highly dependent on...
Autor:
De Salvador, D., Coati, A., Napolitani, E., Berti, M., Drigo, A.V., Carroll, M.S., Sturm, J.C., Stangl, J., Bauer, G., Lazzarini, L.
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2002, Vol. 75 Issue 6, p667. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.