Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"SiGe-транзистори"'
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static b
Publikováno v:
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71
Розглянуто вплив гамма-випромiнювання радiонуклiда 60Co на найбiльш важливi для аналогових мiкросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторiв тех
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::0e7dd1327f487dfff554d03a736f0cbe
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325