Zobrazeno 1 - 10 of 1 250 pro vyhledávání: '"SiC transistors"'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Comparative Study of SiC Transistors for Active Current Limitation in S3R.
Autor: Marroqui, David, Borrell, Jorge, Gutierrez, Roberto, Manuel Blanes, Jose, Garrigos, Ausias, Maset, Enrique
Publikováno v: Electronics & Electrical Engineering; 2017, Vol. 23 Issue 5, p54-60, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Comparison of Thermal Stress During Short-Circuit in Different Types of 1.2-kV SiC Transistors Based on Experiments and Simulations
Autor: Mietek Bakowski, Jang-Kwon Lim, Juan Colmenares, Hans-Peter Nee, Diane-Perle Sadik
Publikováno v: IEEE Transactions on Industrial Electronics. 68:2608-2616
The temperature evolution during a short-circuit (SC) fault in the dies of three different silicon carbide (SiC) 1200-V power devices is presented in this article. Transient electrothermal simulations are performed based on the reconstructed structur
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b07c599f6e465065c062cbe601e54cb
https://doi.org/10.1109/tie.2020.2972442
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje