Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"SiC power modules"'
Autor:
Yuxin Xu, Xiaoming Qiu, Wangyun Li, Suyu Wang, Ninshu Ma, Minoru Ueshima, Chuantong Chen, Katsuaki Suganuma
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 26, Iss , Pp 1079-1093 (2023)
Diamond has the highest thermal conductivity among naturally occurring materials and a relatively low coefficient of thermal expansion (CTE), making it a promising interconnected material for next-generation semiconductor power devices. In this study
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae4c6e2d42d34e71bc6222002db58b1e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 3, p 1038 (2022)
The production of large-scale photovoltaics (PVs) is becoming increasingly popular in the field of power generation; they require the construction of power plants of several hundred megawatts. Nevertheless, the construction of these PV power plants w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cfaa6d24c0fc4c6fbb25c5d655f3b50e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
Compared to silicon devices, silicon carbide (SiC) devices have much lower C(oss) and Q(g); they can switch at much higher speed, SiC power modules are thus more sensitive to stray parameters. Large stray inductance may result in high voltage spikes
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2b931effc7ea434e99c11a18ef339530