Electrically Active Defects in SiC Power MOSFETs

Autor: Mayank Chaturvedi, Daniel Haasmann, Hamid Amini Moghadam, Sima Dimitrijev

Publikováno v: Energies, Vol 16, Iss 4, p 1771 (2023)

The performance and reliability of the state-of-the-art power 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are affected by electrically active defects at and near the interface between SiC and the gate dielectric. Specifica

Externí odkaz: https://doaj.org/article/02c9197adaef49ec9e157a3dea1e3e26

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Thermal Characterization of Silicon Carbide MOSFET Module Suitable for High-Temperature Computationally Efficient Thermal-Profile Prediction

Autor: Donghua Pan, Frede Blaabjerg, Xiongfei Wang, Huai Wang, Mengxing Chen

Publikováno v: Chen, M, Wang, H, Pan, D, Wang, X & Blaabjerg, F 2021, ' Thermal Characterization of Silicon Carbide MOSFET Module Suitable for High-Temperature Computationally-Efficient Thermal-Profile Prediction ', IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 9, no. 4, 9051825, pp. 3947-3958 . https://doi.org/10.1109/JESTPE.2020.2984586

This article characterizes the thermal behavior of a commercialized silicon carbide (SiC) power MOSFET module with special concerns on high-temperature operating conditions as well as particular focuses on SiC MOSFET dies. A temperature-dependent Cau

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fa204119c7d8bd17cdf9e257ae4db91e
https://doi.org/10.1109/jestpe.2020.2984586

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.