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pro vyhledávání: '"SiC Transistoren"'
Autor:
Rescher, Gerald
Siliziumcarbid (SiC) verspricht als Halbleiter mit großer Bandlücke (englisch: wide-band-gap, WBG) enorme Vorteile für Leistungshalbleiterbauelemente. Im Vergleich zu auf Silizium basierenden Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekttransistoren (englisch
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35f5cd512e49f90af09953e8906f4a0f
