Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Si-substrate stress"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 294-302 (2023)
In this paper, kink effect observed in the output characteristics of the AlInN/GaN-on-Si high electron mobility transistor (HEMT) after subjecting the Si-substrate to positive/negative bias stress has been studied. The charge distribution in the diff
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c19c78361dc74771b4ce412633caa0fc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.