Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"Si nanoclusters"'
Autor:
Bratus, Oleh a, ⁎, 1, Kizjak, Anatoliy a, Kykot, Antonina b, Pylypova, Olha b, Ilchenko, Volodymyr b, Evtukh, Anatoliy a, b
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 January 2025 1011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mario Curiel, Nicola Nedev, Judith Paz, Oscar Perez, Benjamin Valdez, David Mateos, Abraham Arias, Diana Nesheva, Emil Manolov, Roumen Nedev, Valeri Dzhurkov
Publikováno v:
Sensors, Vol 19, Iss 10, p 2277 (2019)
Selective UV sensitivity was observed in Metal-Oxide-Semiconductor structures with Si nanoclusters. Si nanocrystals and amorphous Si nanoparticles (a-Si NPs) were obtained by furnace annealing of SiOx films with x = 1.15 for 60 min in N2 at 1000 and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/48004fd151f444b18283afc0151462b2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abraham Arias, Nicola Nedev, Benjamin Valdez, Roumen Nedev, Judith Paz, Diana Nesheva, David Mateos, E. Manolov, V Dzhurkov, Oscar Perez, Mario Curiel
Publikováno v:
Sensors (Basel, Switzerland)
Sensors, Vol 19, Iss 10, p 2277 (2019)
Sensors
Volume 19
Issue 10
Sensors, Vol 19, Iss 10, p 2277 (2019)
Sensors
Volume 19
Issue 10
Selective UV sensitivity was observed in Metal-Oxide-Semiconductor structures with Si nanoclusters. Si nanocrystals and amorphous Si nanoparticles (a-Si NPs) were obtained by furnace annealing of SiOx films with x = 1.15 for 60 min in N2 at 1000 and
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 146:175-178
Silicon-rich silica samples doped with erbium were grown by PECVD and characterized by photoluminescence, time-resolved photoluminescence and Fourier transform infrared spectroscopy. We observe that upon increased silicon content, the absorption spec
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6, pp.156
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6 (156), pp.1-5. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
Nanoscale Research Letters, 2011, 6 (156), pp.1-5. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
HAL
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 156 (2011)
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6, pp.156. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6, pp.156
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6 (156), pp.1-5. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
Nanoscale Research Letters, 2011, 6 (156), pp.1-5. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
HAL
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 156 (2011)
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6, pp.156. ⟨10.1186/1556-276X-6-156⟩
In this article, we have fabricated and studied a new multilayer structure Si-SiO2/SiN x by reactive magnetron sputtering. The comparison between SiO2 and SiN x host matrices in the optical properties of the multilayers is detailed. Structural analys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0cee41118b03093ddfedfdb1aa9c070d
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00574357
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00574357