Zobrazeno 1 - 10
of 8 541
pro vyhledávání: '"Si(111)"'
Publikováno v:
Optical Materials: X, Vol 24, Iss , Pp 100354- (2024)
Plasma fluctuation dispersion has been theoretically and experimentally studied in monocrystal samples of Si (111) and Ge (111). It has been shown that the dispersion depends on crystallographic orientations of materials under study. In this work, th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9c7b6bc3426245e08410620f6ea1ad25
Publikováno v:
Eurasian Journal of Physics and Functional Materials, Vol 7, Iss 4, Pp 249-255 (2023)
In the presented article, samples were studied using Auger electron spectroscopy, recording the angular dependences of the coefficient of elastically reflected electrons η, and spectroscopy of elastically reflected electrons. A change in the compos
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/00d3b16e8e9a4a409effc33ae64ced30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micro and Nano Systems Letters, Vol 10, Iss 1, Pp 1-10 (2022)
Abstract Silicon bulk micromachining is extensively employed method in microelectromechanical systems (MEMS) for the formation of freestanding (e.g., cantilevers) and fixed (e.g., cavities) microstructures. Wet anisotropic etching is a popular techni
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4324c96c98f4ea5b272ae5dd2cd496d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alberto Binetti, Wei-Fan Hsu, Koen Schouteden, Jin Won Seo, Jean-Pierre Locquet, Maria Recaman Payo
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 49, Iss , Pp 106480- (2023)
Vanadium sesquioxide (V2O3) is a strongly correlated electron material exhibiting two distinct metal–insulator transitions that can be tuned via strain, doping, or pressure, making it an interesting material for new-generation sensors or smart devi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/981c6b7369044495acf6796285699852
Publikováno v:
Engineering and Technology Journal, Vol 40, Iss 4, Pp 582-587 (2022)
Zn thin films have been successfully deposited on two different substrates, FTO and p-type Si (111), with thickness (112, 186) nm at (1 and 8) min, respectively, via DC sputtering technique in this work. Structural properties of the prepared thin fil
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/594de141f84042feadf8c6c681b792ee
Publikováno v:
Molecules, Vol 28, Iss 20, p 7181 (2023)
Exploring the properties of magnetic metal on the semiconductor surface is of great significance for the application of magnetic recording materials. Herein, DFT calculations are carried out to explore the properties of the iron–silicon interface s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/90a7191156ba4ceeabf47543f7000687
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.