Zobrazeno 1 - 10
of 292
pro vyhledávání: '"Shvarts, M.Z."'
Autor:
Kalyuzhnyy, N.A., Malevskaya, A.V., Mintairov, S.A., Mintairov, M.A., Nakhimovich, M.V., Salii, R.A., Shvarts, M.Z., Andreev, V.M.
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells 15 October 2023 262
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gudovskikh, A.S., Kaluzhniy, N.A., Lantratov, V.M., Mintairov, S.A., Shvarts, M.Z., Andreev, V.M.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 516(20):6739-6743
Autor:
null Kalyuzhnyy N.A., null Shvarts M.Z., null Salii R. A., null Nakhimovich M.V., null Mintairov M.A., null Evstropov V.V., null Mintairov S. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:22
GaInP-based laser power converters (LPC) structure grown by MOVPE and device chip design have been optimized for operation under high-power lasers of the green-red spectral range. Light I-V curves records have shown the performance of the LPC at up t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::502263afff11e14222045fd9cb44f353
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52876.19080
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52876.19080
Autor:
null Kalyuzhnyy N. A., null Shvarts M.Z., null Salii R.A., null Nakhimovich M. V., null Mintairov S. A., null Evstropov V. V., null Mintairov M. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:26
The efficiency of GaInP/GaAs/InxGa1-xAs triple-junction solar cells obtained by replacing (in the widely used "classical" GaInP / GaAs / Ge heterostructure) the lower germanium with InxGa1-xAs subcell formed using the metamorphic growth technology ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1682bc8715e683a90fb462768de916ab
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.13.53388.18888
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.13.53388.18888
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.